នៅថ្ងៃនេះ ក្រុមហ៊ុនផលិត Memory Chip ដែលធំបំផុតរបស់ប្រទេសកូរ៉េខាងត្បូង SK Hynix Inc បានប្រកាសចេញ Mobile DRAM
ជំនាន់ថ្មី LPDDR5T ឬ Low Power Double Data Rate 5 Turbo។ បច្ចេកវិទ្យា Mobile DRAM ជំនាន់ថ្មី LPDDR5T គឺមានសមត្ថភាពល្បឿនដំណើរការទិន្នន័យរហូតដល់ទៅ 9.6Gbps ដែលលឿនជាងដល់ទៅ 13% ធៀបនឹងជំនាន់មុន LPDDR5X ដែលបានប្រកាសចេញកាលពីអំឡុងឆ្នាំ 2022។ ហើយការដែលក្រុមហ៊ុនបន្ថែមពាក្យ “Turbo” ទៅជាឈ្មោះស្តង់ដារ LPDDR5T ដើម្បីរំលេចពីសមត្ថភាពល្បឿនអតិបរិមានៃផលិតផល។
LPDDR5T បានប្រើប្រាស់នៅថាមពល Ultra-low voltage ពី 1.01 ទៅ 1.12V ដែលផ្តល់ដោយ JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) ដែលតាមការបញ្ជាក់ពី SK Hynix បានឲ្យដឹងថា LPDDR5T គឺបង្កើនល្បឿនប្រើការលឿនបំផុតខណៈពេលដែលប្រើប្រាស់ថាមពលតិចក្នុងពេលតែមួយ។ SK Hynix គ្រោងផ្តល់ជូនអតិថិជននូវជម្រើសទំហំផ្ទុកផ្សេងៗគ្នា។ ក្រុមហ៊ុនបានផ្តល់នូវជម្រើស 16 Gb Multi-chip packages ខណៈដែល LPDDR5T Chip បានរួមបញ្ចូលទៅក្នុង One Packages ដែលអនុញ្ញាតិឲ្យការបញ្ជូនទិន្នន័យបានរហូតដល់ 77GB ក្នុងមួយវិនាទី។
SK Hynix គ្រោងនឹងចាប់ផ្តើមការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំ LPDDR5T ដោយប្រើនូវបច្ចេកវិទ្យា 1anm Technology នៅពាក់កណ្តាលឆ្នាំ 2023។ 1anm Technology គឺជាជំនាន់ទី 4 របស់ 10nm Technology។ តាមការព្យាករណ៍របស់ឧស្សាហកម្ម IT នឹងមានការកើនឡើងនូវតម្រូវការសម្រាប់បន្ទះឈីបអង្គចងចាំ ជាមួយនឹងលក្ខណៈពិសេសកាន់តែប្រសើរឡើង ដោយសារតែការពង្រីកទីផ្សារស្មាតហ្វូន 5G នាពេលខាងមុខ។
ជាមួយនឹងភាពវៃឆ្លាតសិប្បនិម្មិត (AI), Machine Learning និងការពិតនិម្មិត VR (Virtual Reality) កាន់តែរីកចម្រើនខ្លាំងឡើងៗពីឆ្នាំទៅមួយឆ្នាំ។ SK Hynix បានព្យាករណ៍ថា LPDDR5T DRAM របស់ពួកគេនឹងទទួលបានជោគជ័យខ្លាំងបំផុតសម្រាប់ទីផ្សារផលិតផលបច្ចេកវិទ្យានាពេលអនាគត។ លោក Sungsoo Ryu ប្រធានផ្នែកផែនការផលិតផល DRAM នៅក្រុមហ៊ុន SK hynix បាននិយាយថា ក្រុមហ៊ុនបានបំពេញតម្រូវការអតិថិជនសម្រាប់ផលិតផលដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ហើយនឹងបន្តធ្វើការលើការអភិវឌ្ឍន៍បច្ចេកវិទ្យាដើម្បីដឹកនាំទីផ្សារ semiconductor ជំនាន់ក្រោយ និងក្លាយជា Game-charger នៅក្នុងពិភព IT៕
