ក្រុមហ៊ុន Samsung Semiconductor បានធ្វើការប្រកាសចេញបច្ចេកវិទ្យាថ្មី “Special Type of DRAM” ដែលក្រុមហ៊ុនបានបញ្ជាក់ថា បច្ចេកវិទ្យាថ្មីនេះ គឺល្អបំផុតសម្រាប់ប្រព័ន្ធបច្ចេកវិទ្យា Mobile AI (artificial intelligence) និង Game Applications។ ដែលបច្ចេកវិទ្យា RAM ថ្មីនេះ ត្រូវបានក្រុមហ៊ុនហៅថា LLW DRAM ឬ Low latency Wide IO។
សូមរំលឹកថា Samsung Electronics បានធ្វើការបង្ហាញចេញនៅការអភិវឌ្ឍន៍បច្ចេកវិទ្យា LLW DRAM កាលពីអំឡុងខែមករា ឆ្នាំ 2023 នេះ នៅក្នុងព្រឹត្តិការណ័ Tech Day។ ហើយនៅក្រុមហ៊ុនក៏បានធ្វើការបង្ហាញលម្អិតពីបច្ចេកវិទ្យា LLW DRAM នេះនៅក្នុងខែតុលា ក្នុងព្រឹត្តិការណ៍ Memory Tech Day។ ដែលជាព្រឹត្តិការណ៍ធ្វើការបង្ហាញនូវប្រព័ន្ធ HBM3E Shinebolt និង LPDDR5X CAMM2 solutions។
ដោយឡែកនៅថ្ងៃនេះ Samsung បានធ្វើការបង្ហោះវីដេអូប្រមាណ 44 វិនាទី នៅលើគណនី X របស់ក្រុមហ៊ុន ដែលបង្ហាញពីប្រព័ន្ធបច្ចេកវិទ្យា LLW DRAM។ ដោយនៅក្នុងវីដអូបានបង្ហាញថា បន្ទះឈីប LLW DRAM ត្រូវបានធ្វើការដំឡើងនៅខាងស្តាំនៃបន្ទះឈីប CPU នៅលើបន្ទះឈីប។ យ៉ាងណាមិញ គេមិនទាន់ច្បាស់ថាប្រព័ន្ធបច្ចេកវិទ្យាឈីប LLW DRAM នេះ គឺប្រើនៅលើឈីបកំពូលជំនាន់ថ្មីរបស់ Samsung ឬក៏ឈីបផ្សេងនោះទេ ប៉ុន្តែ គេរំពឹងថា LLW DRAM ទំនងជានឹងប្រើដំបូងនៅលើប្រព័ន្ធឈីបដែលត្រូវបំពាក់នៅលើបងប្អូន Galaxy S24 ដែលនឹងបង្ហាញវត្តមាននៅដើមឆ្នាំក្រោយនេះ។
ក្រុមហ៊ុន Samsung ត្រូវបានគេដឹងថា បានធ្វើការរៀបចំនូវប្រព័ន្ធបច្ចេកវិទ្យាឆ្លាតវៃថ្មីមួយចំនួនសម្រាប់បងប្អូន Galaxy S24 ដែលក្នុងនោះមានប្រព័ន្ធបច្ចេកវិទ្យា AI Live Translate Call ដែលត្រូវបានក្រុមហ៊ុនធ្វើការបញ្ជាក់ថា នឹងមកដល់នៅដើមឆ្នាំក្រោយនេះ។ ហើយក្រុមហ៊ុន បានអះអាងថា Samsung Galaxy S24 Series គឺជា AI Phone។ ដូចនេះ Galaxy S24 Series គឺនឹងប្រើនូវប្រព័ន្ធ LLW DRAM ដំបូងគេយ៉ាងពិតប្រាកដ។ បើប្រភពព័ត៌មានច្បាស់ការណ៍មួយបានបញ្ជាក់ថា Samsung នឹងធ្វើការប្រកាសចេញកំពូលស្មាតហ្វូនជំនាន់ថ្មី Samsun Galaxy S24, S24 Plus និង S24 Ultra នៅទីក្រុង San Jose នាថ្ងៃទី 17 ខែមករា ឆ្នាំ 2024៕
