ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics បានកំណត់នូវចក្ខុវិស័យរបស់ខ្លួន នៅក្នុងការក្លាយខ្លួនជាអ្នកនាំមុខគេទៅលើម៉េមូរី 3D DRAM memory នេះ បើតាមការបញ្ជាក់ចេញពីរបាយការណ៍មួយចេញពី Semiconductor Engineering។ ការប្រកាសខាងលើនេះ គឺបានធ្វើឡើងនៅក្នុងព្រឹត្តិការណ៍សន្និសីទ Memcon 2024 conference ដែលមានការបង្ហាញអំពីយុទ្ធសាស្រ្តរបស់ក្រុមហ៊ុននេះ នៅក្នុងការបោះជំហានទៅលើការផលិតនូវទំហំបន្ទះឈីបតូចជាងមុន។
ជាមួយនឹង DRAM ដែលមានទំហំក្រោម 10nm នេះ នឹងជម្រុញអោយមានការស្វែងរកនូវដំណោះស្រាយនៃរបកគំហើញថ្មីដូចជា 3D DRAM ដែលនឹងនាំយកនូវផលប្រយោជន៍ជាច្រើនជាពិសេសទៅលើទំហំ។ នៅក្នុងព្រឹត្តិការណ៍ Memcon 2024 នេះ ក្រុមហ៊ុន Samsung បានបង្ហាញនូវបច្ចេកវិទ្យាសំខាន់ចំនួន 2 សម្រាប់ 3D DRAM: Vertical Channel Transistors និង Stacked DRAM ជាដើម។
សម្រាប់ Vertical Channel Transistors នេះ គឺបង្ហាញអំពីការផ្លាស់ប្តូរជាមូលដ្ឋានទៅលើការឌីស្សាញផ្នែក transistors របស់វា។ សម្រាប់ Stacked DRAM វិញ គឺផ្តោតទៅលើការកាត់បន្ថយទៅលើទំហំរបស់វា។ ខុសប្លែកពី 2D DRAM ដែលផ្តោតទៅលើ horizontal plane នៅលើ Stacked DRAM គឺមានការផ្តោតទៅលើ vertical dimension (z-axis) ដើម្បីប្រើប្រាស់នូវស្រទាប់ layers ច្រើនទៅក្នុង memory cells នៃឈីបតែមួយនេះ។ ឈីបមួយនេះ គឺមានទំហំជាង 100GB ។
គួរបញ្ជាក់ផងដែរថា ការអភិវឌ្ឍទៅលើបច្ចេកវិទ្យា 3D DRAM technology នេះ គឺជាផ្នែកមួយនៃផែនទីរយៈពេលវែងរបស់ក្រុមហ៊ុន Samsung ក្នុងការពង្រឹងទៅលើសមត្ថភាពនៃទំហំផ្ទុកនៅលើម៉េមូរី ឧបករណ៍គ្រឿងប្រើប្រាស់អេឡិចត្រូនិច និងបច្ចេកវិទ្យាជាច្រើនទៀតដូចជាAI និង 5G Networks ជាដើម។ សម្រាប់ទីផ្សារនៃ 3D DRAM នេះ នឹងមានចំនួនច្រើនជាង 100 ពាន់លានដុល្លារអាមេរិកនៅត្រឹមឆ្នាំ 2028 នេះ។
ក្រុមហ៊ុន Samsung ក៏បានបោះជំហាននៃការអភិវឌ្ឍទៅលើ 3D DRAM research lab នៅក្នុងតំបន់ Silicon Valley កាលពីដើមឆ្នាំនេះផងដែរ។ គួរបញ្ជា់ថា ក្នុងពេលបច្ចុប្បន្ននេះ ក្រុមហ៊ុននេះ បានទាក់ទាញអ្នកជំនាញ និងអ្នកមានទេពកោសល្យជាច្រើនមកចូលរួមជាមួយនឹងក្រុមហ៊ុន ហើយក្រុមហ៊ុន Samsung ក៏អភិវឌ្ឍទៅលើបច្ចេកវិទ្យា MUF Technology ក្នុងការអភិវឌ្ឍទៅលើ DRAM ជំនាន់ថ្មីសម្រាប់ប្រើប្រាស់នៅលើ Servers ផងដែរ៕
