Samsung-SK Hynix មានបំណងផលិតបន្ទះរ៉េមជំនាន់ថ្មី LPDDR6 មុនការបង្ហាញវត្តមានកំពូលឈីប Snapdragon 8 Gen 4 របស់ Qualcomm

ក្រុមហ៊ុន Samsung និង SK Hynix កំពុងធ្វើការរួមគ្នាដើម្បីទទួលបានវិញ្ញាបនប័ត្រសម្រាប់ការផលិតបន្ទះឈីប RAM ជំនាន់ថ្មី LPDDR6 ឱ្យបានឆាប់តាមដែលអាចធ្វើទៅបាន។ យោងតាមការទម្លាយពីខាងក្នុងឧស្សាហកម្ម ក្រុមហ៊ុនបច្ចេកវិទ្យាខ្នាតយក្សរបស់កូរ៉េខាងត្បូងមួយនេះ បានត្រៀមខ្លួនរួចជាស្រេចដើម្បីចាប់ផ្តើមផលិតបន្ទះឈីបអង្គចងចាំជំនាន់ថ្មី (RAM) នៅពេលដែលស្តង់ដារមួយត្រូវបានអនុម័តដោយ JEDEC ដែលជាក្រុមប្រឹក្សាវិស្វកម្មឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិករួម។

បើតាមការរំពឹងទុក គឺជាបទប្បញ្ញត្តិ និងឯកសារដែលត្រូវចេញផ្សាយនៅឆមាសទីពីរនៃឆ្នាំនេះ ដោយ Samsung ចង់រៀបចំការផលិតបន្ទះឈីបអង្គចងចាំថ្មីសម្រាប់ទូរសព្ទដែលមាន Snapdragon 8 Gen 4 ព្រោះ ថា AI ជំនាន់ថ្មីអាចលើសពីកម្រិតកំណត់នៃប៉ារ៉ាម៉ែត្រ 10 ពាន់លាន។

សម្រាប់បន្ទះឈីប Snapdragon 8 Gen 3 របស់ក្រុមហ៊ុន Qualcomm គឺមានភ្ជាប់មកជាមួយនៅប្រព័ន្ធ NPU ដែលគាំទ្រគំរូ AI Model ជាមួយនឹងប៉ារ៉ាម៉ែត្រមួយពាន់លាននៅលើឧបករណ៍។ លើសពីជំហានឡើងដល់ចំនួន 10 ពាន់លាន គឺមានន័យថា AI ជំនាន់ថ្មីនឹងយល់វីដេអូបានកាន់តែច្បាស់ និងបង្កើតក្បួនដោះស្រាយកម្មវិធីត្រឹមត្រូវជាងមុន ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវដំណើរការស្មាតហ្វូនទាំងមូល។ សម្រាប់បន្ទះឈីបរ៉េមជំនាន់ថ្មី LPDDR6 នៅតែមិនទាន់មានព័ត៌មានជាក់លាក់ណាមួយនិយាយអំពីកម្រិតបញ្ជូន និងចំនួនដែលវានឹងត្រូវបានបែងចែកទៅឱ្យដំណើរការសម្រាប់មុខងារ AI។ 

Samsung បាននឹងកំពុងកែលម្អបន្ថែមនៅលើជំនាន់ LPDDR5 (5X និង 5T) ដោយផ្តោតលើតម្លៃទាប និងប្រសិទ្ធភាពថាមពលខ្ពស់ ជាជាងការអនុវត្តជាក់ស្តែង ហើយវានឹងត្រូវបានផ្លាស់ប្តូរនៅពេលដែលស្ថាប័ន JEDEC ដែលជាអង្គការអន្តរជាតិទទួលខុសត្រូវលើស្តង់ដារ semiconductor បានបញ្ជាក់ស្តង់ដារថ្មីសម្រាប់រ៉េមជំនាន់ថ្មីនេះ។ បើតាមអ្នកនាំពាក្យ layman បានឲ្យដឹងថា LPDDR6 RAM ជាមួយ Snapdragon 8 Gen 4 អាចនាំមកនូវជំហានបន្ទាប់នៃមុខងារបញ្ញាសិប្បនិម្មិតនៅក្នុងស្មាតហ្វូននៅដើមឆ្នាំ 2025៕